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SK海力士将采用英特尔EMIB封装技术：打造下一代HBM_我的网站

一 |     8月24日消息，据Wccftech报道，SK海力士近日详细阐述了其HBM技术路线图的加速路径，核心举措包括引入EMIB封装方案，并明确将3D集成作为长期目标。

二 |     当前，HBM通过TSV（硅通孔）技术将多层DRAM芯片堆叠于基础裸片之上，最高可支持16层堆叠。      伦敦8月12日电（记者高文成　张枫）据英国航运媒体《劳埃德船舶日报》12日报道，国际海上保险联盟预计，自今年2月底中东战事爆发以来，约70起相关事故导致海上保险商面临赔付金额达15亿至20亿美元。

三 |   国际海上保险联盟总干事拉尔斯·朗格表示，目前的赔付估算包括船体损坏及停租等经济损失，相关赔款尚未实际支付，但按照目前掌握的信息，保险市场面临的整体赔付规模约为15亿至20亿美元。  朗格警告说，随着战事持续，保险业越来越担心另一项潜在风险，即如果大批船舶长期滞留，在连续12个月无法投入运营后，相关保险合同可能触发全损赔付条款，涉及船舶数量或达数百艘，未来赔付规模可能进一步扩大。  报道称，霍尔木兹海峡危机、红海地区袭船事件以及俄乌冲突等因素，正在对航运和海上保险市场形成叠加影响。业内人士认为，战事风险增加、航运受阻以及全球主要航运通道面临的不确定性，已开始向更广泛的供应链传导。

四 |   朗格说，包括霍尔木兹海峡在内的高风险航线目前仍可获得保险保障，“但需要相应的价格和条件”。市场普遍认为，在看不到和平解决迹象的情况下，保费进一步上涨几乎难以避免。HBM与计算模块（XPU，涵盖GPU、TPU等）相互独立，通过2.5D封装共同安装于同一中介层。    

    每个HBM模块配备1024位I/O接口（共16通道），通过物理接口层（PHY）与XPU相连。而下一代HBM4将首次将I/O接口扩展至2048位，这将是自2015年HBM问世以来的最大规格变革。     在封装工艺上，目前主要存在两大技术路径：热压键合配合非导电膜（TC+NCF）和整体回流焊配合模塑底部填充（MR+MUF）。前者在应对芯片翘曲方面更具优势，但热阻较高且生产效率偏低；后者生产效率更高、热阻更低，却更易出现翘曲及间隙填充缺陷。

五 |     

    面向未来，SK海力士计划引入混合键合技术，以消除芯片堆叠中的凸块并缩小间距。同时，公司正在开发名为“I-HBM”的局部散热技术（类似三星的HPB方案），旨在优化传热路径，更高效地分散热量，为更高层数的堆叠铺路。    在2.5D封装解决方案方面，SK海力士目前已在传统CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S之外，新增了英特尔的EMIB技术，形成更丰富的异构集成选项。     此外，市场传言SK海力士与英特尔有望在存储领域组建合资公司，进一步深化合作。同时，与三星类似，SK海力士也在积极推进3D垂直堆叠方案，将HBM直接置于计算模块之上，以突破现有封装架构的带宽和能效瓶颈。    

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Published on:03:22:13